碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长

• 作者: 徐方 方奇术 杨培志 梁哲 王苏静 蒋成勇 陈红兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化钾单晶 坩埚下降法 光谱性质
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2428字
• 语种: 中文

摘要

本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长.以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长.在晶体生长过程中,炉体温度调节于750～770 ℃,固液界面温度梯度为30～40 ℃/cm,坩埚下降速率控制为1～2 mm/h,成功生长出尺寸为φ25 mm×50 mm的透明完整KI单晶.采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450～2500 nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280 nm左右;在266 nm脉冲光激发下,该单晶具有397 nm峰值波长的荧光发射.