坩埚下降法生长CaF2单晶的研究

• 作者: 关树海 刘景和 段安锋 沈永宏 罗劲松 范翊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CaF2晶体 下降法 位错蚀坑 光谱
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1328-1331
• 页数: 4页
• 分类号: O781
• 字数: 1730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.06.036

摘要

采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带.同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘景和		134	714	13.0	18.0
2	范翊	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	53	5.0	6.0
3	段安锋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	5	37	4.0	5.0
7	沈永宏	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	5	37	4.0	5.0
8	关树海	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	13	2.0	3.0
9	罗劲松	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	5	10	2.0	3.0