MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

• 作者: 刘海涛 温志渝 黄扬帆
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS晶体管 三级模型 直流参数 交流小信号 参数提取
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 4-5,19
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2010.04.002

摘要

基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一.文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄扬帆	重庆大学国家电工电子实验教学示范中心	30	280	11.0	15.0
2	温志渝	重庆大学微系统研究中心	143	1259	18.0	26.0
3	刘海涛	重庆大学国家电工电子实验教学示范中心	15	64	5.0	7.0