单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁

• 作者: 刘晨 吴爱华 孙静 栾鹏 梁法国 郑延秋
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: 在片 TRL 校准 在片 S 参数 晶体管表征
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 校准原理与方法
• 页码范围: 21-23,74
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn1672-9722.2015.01.007

摘要

为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求，论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作，该专用校准件在设计过程中，综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素，使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯，从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证，制作了在片无源检验件，通过测量结果与电磁场仿真数值的对比，证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
2	吴爱华	中国电子科技集团公司第十三研究所	40	63	4.0	6.0
3	栾鹏	中国电子科技集团公司第十三研究所	15	29	3.0	5.0
4	刘晨	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	21	3.0	3.0
5	郑延秋	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	34	4.0	5.0
6	孙静	中国电子科技集团公司第十三研究所	15	20	3.0	4.0