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L波段SiGe-BiCMOS发射MMIC
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摘要：
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一种 C波段单片全集成 SiGe BiCMOS功率放大器
功率放大器
SiGe BiCMOS
异质结双极晶体管
相控阵雷达
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计
锗硅
压控振荡器
传输线
相位噪声
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计
锗硅
高速比较器
主从锁存器
精度
基于SiGe BiCMOS的全集成射频功率放大器设计
功率放大器
异质结双极晶体管
锗硅工艺
内容分析
关键词云
关键词热度
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(/年)
文献信息
| 篇名 | L波段SiGe-BiCMOS发射MMIC | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | SIGE MMIC 差分放大器 偏置电路 发射增益 芯片尺寸 高性能控制 电源电压 输出功率 三菱电机 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2010,（5） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 10-10 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN322.8 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
SIGE
MMIC
差分放大器
偏置电路
发射增益
芯片尺寸
高性能控制
电源电压
输出功率
三菱电机
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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