掺硼多晶金刚石膜电极的电化学研究

• 作者: 吕继磊 朱金凤 汪建华 满卫东 董维 陈朋
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 化学气相沉积 掺硼金刚石膜 电化学 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 69-72
• 分类号: O472|O646
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2010.12.017

摘要

通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜(BDD),并用四探针,扫描电镜,激光拉曼,电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω·m,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质,结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3～3×10-4A),BDD具有很宽的电化学窗口(～3.2 V),较低的背景电流(-3×10-6～2×10-6A),在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,在对有机物苯酚的催化氧化检测中发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单、彻底,因此可以作为一种理想的电极材料.