Ar+离子束对U薄膜表面粗糙度的影响

• 作者: 任大鹏 吕学超 张厚亮 李嵘 赖新春 赵天明
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Ar+离子束 反应溅射 刻蚀 U薄膜 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 889-891
• 分类号: TB43
• 字数: 2115字
• 语种: 中文

摘要

采用Ar+离子束对U薄膜表面进行反应溅射,通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Ra的影响,并与Ar+离子束刻蚀试验进行比对.结果表明,以30°角入射,随溅射时间的增加,能量为0.5 keV的Ar+离子束较1.0 keV对U薄膜表面粗糙度趋于减小,表面愈光滑,溅射深度仅限于纳米级,而与金属Mo的刻蚀效果相比与之相反.Ar+离子束溅射对材料表面具有超精细抛光的效果,辅之于离子束微米级刻蚀减薄,将有助于U薄膜表面精细加工.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李嵘		19	60	5.0	6.0
2	任大鹏		23	100	6.0	9.0
3	吕学超		29	121	6.0	9.0
4	赖新春		21	41	3.0	5.0
5	张厚亮		7	21	3.0	4.0
6	赵天明		2	1	1.0	1.0