AlN基稀磁半导体的研究进展

• 作者: 王腊节 聂招秀
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN 稀磁半导体 居里温度 掺杂 过渡元素
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 304-306,329
• 分类号: TM91
• 字数: 4518字
• 语种: 中文

摘要

主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王腊节	南昌大学共青学院工程技术系	11	12	2.0	2.0
2	聂招秀	重庆大学数理学院	8	15	2.0	3.0