集成电路电磁辐射与数据相关性研究

• 作者: 丁国良 尹文龙 常小龙 王创伟
• 来源期刊: 计算机技术与发展
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 金属层 电磁信息泄漏 数据相关性 电偶极子
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 安全与防范
• 页码范围: 156-159
• 分类号: TP309
• 字数: 3299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-629X.2010.07.040

摘要

为了减少集成电路密码芯片工作时的电磁信息泄漏,设计具有防护能力的加密芯片.在研究CM06集成电路电磁辐射原理的基础上,分析了电磁辐射产生数据相关性的机理.以电偶极子为模型,简化了电磁计算的方法,对基本的CMOS电路工作过程进行分析.采用TSMC 0.18工艺设计CMOS反相器,并对该反向器进行电磁辐射仿真.建立评估模型并对金属层电磁辐射的信息泄漏进行评估.结果表明,电路工作时NMOS金属层、PMOS金属层和输出线的金属层产生的电磁辐射均会导致信息泄漏,长度相等时,输出线金属层的电磁信息泄漏更强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国良	军械工程学院计算机工程系	58	277	9.0	12.0
2	常小龙	军械工程学院计算机工程系	26	88	6.0	6.0
3	尹文龙	军械工程学院计算机工程系	28	73	5.0	6.0
4	王创伟	军械工程学院计算机工程系	11	36	4.0	5.0