高能粒子辐照对太阳能电池材料InGaN合金生长的影响

• 作者: 董少光
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN合金 抗辐照性能 太阳能电池材料 MOCVD
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 259-262
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2833字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜,并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试,用室温下的光致发光对InGaN合金薄膜的少数载流子寿命进行间接测量,结果显示,高In组分InGaN合金薄膜具有很好的晶体结构质量,其位错密度均没有超过5×1010cm-2.在辐照损伤强度超过常用太阳能电池材料GaAs和GaInP损伤强度极限2个数量级以上时,InGaN合金仍然具有良好的光电性能,说明InGaN合金是非常适合制作抗超高辐照强度的太阳能电池材料.研究分析表明,InGaN合金具有较高的抗辐照性能是由这种材料的本质属性决定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0