掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内的质子导电性

• 作者: 付珍 古国榜 方军 李丽坤 邹智毅 魏小兰
• 来源期刊: 广州化工
• 学科: 工学
• 关键词: 掺磷中孔SiO2 中温 质子电导
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 54-56,67
• 页数: 4页
• 分类号: TQ13
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9677.2010.02.020

摘要

合成了孔壁掺磷中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比表面积为407m2g-1,BJH平均孔径为6.1nm.用交流阻抗技术测定了除去游离P2O5的掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内100%相对湿度下的质子电导,样品导电率随温度升高而升高,在150℃和100%相对湿度下,样品的电导可达3.1×10-3S·cm-1,比纯中孔SiO2(m-SiO2)的电导约高一个数量级,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量为31个分子/nm2,而m-SiO2只有24个分子/nm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	古国榜	华南理工大学化学与化工学院	138	2905	29.0	48.0
2	魏小兰	华南理工大学化学与化工学院	38	417	11.0	20.0
3	邹智毅	华南理工大学化学与化工学院	10	38	3.0	6.0
4	付珍	华南理工大学化学与化工学院	4	6	2.0	2.0
5	李丽坤	华南理工大学化学与化工学院	3	3	1.0	1.0
6	方军	厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系	3	4	1.0	2.0