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锁存继电器的CMOS电路
锁存继电器的CMOS电路
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摘要：
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基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究
CMOS
抗辐射加固
RHBD技术
DICE
D-Latch
阈值LET
高速低功耗CMOS动态锁存比较器的设计
动态锁存比较器
互补金属氧化物半导体
高速低功耗
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高速CMOS锁存比较器的设计
锁存比较器
踢回噪声
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期刊影响力
电子设计技术
主办单位：
中国电子报社
出版周期：
月刊
ISSN：
1023-7364
CN：
11-3617/TN
开本：
16开
出版地：
北京市
邮发代号：
创刊时间：
1994
语种：
chi
出版文献量（篇）
5532
总下载数（次）
6
总被引数（次）
1789
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