数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

• 作者: 卢景霄 李艳阳 杨仕娥 苗丽燕 谷锦华 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜电池 p/i界面 光电转换效率
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 599-603
• 分类号: O469
• 字数: 3406字
• 语种: 中文

摘要

采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	李艳阳	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	7	18	3.0	3.0
6	苗丽燕	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0