入射能量对H2+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟

• 作者: 刘华敏 吕晓丹 孙伟中 张浚源 潘宇东 苟富均 赵成利
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 入射能量 滞留H原子 刻蚀
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 等离子体应用
• 页码范围: 85-90
• 分类号: TL62+7
• 字数: 3768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2011.01.017

摘要

用分子动力学方法研究了入射能量对 H2+与 SiC 样品表面相互作用的影响.模拟结果表明,在 H2+轰击 SiC 样品表面的初始阶段,样品中 H 原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和.入射能量越大,样品中 H 原子的滞留量也就越大.样品在 H2+的轰击下,样品 Si、C 原子会发生刻蚀.入射能量越大,Si 和 C 原子的刻蚀量越大.在相同入射能量下,Si 原子的刻蚀量大于 C 原子.生成的产物中,以 H,H2和 SiH4为主;产物 H2的量随着能量的增加而减小.其他产物随着入射能量的增加而增加.