分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响

• 作者: 刘华敏 吕晓丹 孙伟中 张俊源 苟富均 贺平逆 赵成利 陈峰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 入射角度 刻蚀 Si-C-F反应层
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 分类号: TB7|TN1
• 字数: 2850字
• 语种: 中文

摘要

本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15°、30°、45°、60°和75°.模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小.当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子.在相互作用过程中,SiC表面形成-层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF.