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摘要:
从理论上分析了纳结构半导体内建电场产生条件,以及如何对内建电场进行调制,并通过对内建电场进行调制进而对半导体的功函数进行调制,推导出了内建电场与功函数的简易关系,并进行了模拟计算,为进一步实现介观光电效应,制造介观光电器件提供理论支撑.
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文献信息
篇名 内建电场对纳构半导体功函数的调制
来源期刊 武汉工程大学学报 学科 工学
关键词 内建电场 异质结 量子阱 功函数 介观光电效应
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 50-53
页数 分类号 TB383
字数 2090字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2869.2011.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许丽萍 中北大学理学院 62 146 7.0 8.0
2 安盼龙 中北大学电子测试技术国家重点实验室 17 49 3.0 6.0
6 赵瑞娟 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 20 63 4.0 7.0
7 杨艳 中北大学理学院 25 87 5.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
内建电场
异质结
量子阱
功函数
介观光电效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
武汉工程大学学报
双月刊
1674-2869
42-1779/TQ
大16开
武汉市江夏区流芳大道特1号,武汉工程大学流芳校区,西北区1号楼504学报编辑部收
1979
chi
出版文献量(篇)
3719
总下载数(次)
13
总被引数(次)
21485
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