Si（100）预结构基底对Si雕塑薄膜三维模拟生长的影响

• 作者: 余梦影 梁景舒 江绍基 陈子毅
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 雕塑薄膜 蒙特卡罗模型 预结构 表面粗糙度 相对密度
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 860-863
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

建立一个雕塑薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模拟在PVD方法下Si在Si（100）基底上沉积的生长,考虑周期性排列预结构基底的阴影效应,模拟不同预结构单元宽度、间距及不同入射角度下斜柱状雕塑薄膜的三维形貌。结果表明,在入射角和宽度一定时,存在一个最佳间宽比值使得薄膜表面粗糙度最小;当宽度大于一定数值,粗糙度随间宽比值增大而增大。在相同预结构基底下,随入射角增大,薄膜的表面粗糙度增大;而薄膜的相对密度曲线变得平缓均匀。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江绍基	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	35	365	10.0	18.0
2	梁景舒	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	2	12	2.0	2.0
3	陈子毅	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	1	4	1.0	1.0