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摘要:
传统激光器由于封装键合工艺的要求,需要较大的芯片电极面积,限制了器件尺寸进一步小型化.量子尺寸的衍射效应使量子阱半导体激光器的垂直结平面发散角较大,不利于光束整形,限制了半导体激光器的直接应用.为解决这些问题,采用加入模式扩展层的光波导结构,将垂直发散角由40°减小到22°左右;采用p与n电极同面的脊波导结构,可将激光器同载体直接烧结,无需键合工艺,减小了电极面积,进而缩小了芯片尺寸.25℃,60 mA注入电流下进行测试,阈值电流Ith≤10 mA,输出功率P约为55 mW.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 单模小发散角免键合激光器芯片的研制
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 半导体激光器 单模 发散角 模式扩展 键合
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 器件与技术
研究方向 页码范围 353-356
页数 分类号 TN248.4
字数 1833字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.06.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘浩 中国电子科技集团公司第十三研究所 14 30 3.0 4.0
2 陈宏泰 中国电子科技集团公司第十三研究所 25 102 6.0 8.0
3 安振峰 中国电子科技集团公司第十三研究所 31 150 7.0 10.0
4 张世祖 中国电子科技集团公司第十三研究所 12 54 5.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
单模
发散角
模式扩展
键合
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
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