1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μmCMOS带隙基准源

• 作者: 杨方杰 段志奎 谢伦国 郭阳 马卓
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 集电极电流 温度稳定性 电源抑制比 低电源电压
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 计算机工程·电子工程
• 页码范围: 89-94
• 分类号: TN432
• 字数: 3856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2011.03.018

摘要

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性.CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,“发射极-基极”通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降.此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强.针对上述两个问题,分别提出了自适应的“发射极-基极”电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案.基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在- 55℃～150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马卓	国防科技大学计算机学院	12	47	4.0	5.0
2	谢伦国	国防科技大学计算机学院	20	71	6.0	7.0
3	郭阳	国防科技大学计算机学院	50	449	9.0	20.0
4	段志奎	国防科技大学计算机学院	1	6	1.0	1.0
5	杨方杰	国防科技大学计算机学院	1	6	1.0	1.0