小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现

• 作者: 安盼龙 赵瑞娟
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 量子阱 共振隧穿 透射系数 隧穿电流
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 629-634
• 分类号: O471.1
• 字数: 2458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.019

摘要

共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快.用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和Ⅰ-Ⅴ特性曲线.计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安盼龙	中北大学电子测试技术国家重点实验室	17	49	3.0	6.0
5	赵瑞娟	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	20	63	4.0	7.0