溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响

• 作者: 卢为 吴锴 孟永鹏 成永红 朱明远 王增彬 陈玉
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 沿面闪络 氧化铝陶瓷 纳秒脉冲 溅射金膜 表面态
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 97-101
• 分类号: TM855
• 语种: 中文

摘要

研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢为	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
2	成永红	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	78	1073	18.0	27.0
3	王增彬	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	7	46	3.0	6.0
4	陈玉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	21	196	7.0	14.0
5	孟永鹏	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	19	421	11.0	19.0
6	朱明远	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	1	1.0	1.0