背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究

• 作者: 吴京波 李斌斌 杨超 江丰 沈鸿烈 陈海力
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 离子束刻蚀 开路电压 填充因子 转换效率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 125-128
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.002

摘要

为了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完SiNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响.采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能.发现背面经离子束刻蚀后,单面扩散和双面扩散电池片的并联电阻、开路电压、填充因子和转换效率都有所提高,而串联电阻和短路电流的变化则不是很明显.本实验采用的是Ⅱ类单晶硅片,单面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率达到15.99%,比不刻蚀样品增加了0.69%;双面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率则达到16.4%,比不刻蚀样品增加了0.68%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨超	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	74	5.0	8.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
3	吴京波		2	2	1.0	1.0
4	陈海力	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	3	1.0	1.0
5	江丰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	57	5.0	6.0
6	李斌斌	南京航空航天大学材料科学与技术学院	23	157	8.0	10.0