不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律

• 作者: 刘翔 周伟峰 明星 薛建设 郭建 金基用 闵泰烨 陈旭
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 沟道设计 四次掩膜曝光
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 165-169
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20112602.0165

摘要

通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	郭建		8	24	3.0	4.0
3	闵泰烨		10	33	4.0	4.0
4	周伟峰		2	37	2.0	2.0
5	薛建设		4	41	2.0	4.0
6	金基用		3	72	2.0	3.0
7	刘翔		1	4	1.0	1.0
8	明星		2	6	2.0	2.0