同位镀锑膜修饰电极方波溶出伏安法同时测定痕量锡、镉

• 作者: 丁亚萍 姜宪尘 张玉雪 李茜 杜晓燕 杨勇 牟婧男
• 来源期刊: 中国卫生检验杂志
• 学科: 化学
• 关键词: 同位镀锑膜 方波溶出伏安法 锡 镉
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 2133-2135,2138
• 页数: 4页
• 分类号: O657.14
• 语种: 中文

摘要

目的:建立同位镀锑膜电极测定痕量锡和镉的新方法.方法:在玻碳电极上,采用同位镀锑的方法富集被测离子并形成锑膜,利用方波脉冲伏安法使富集的Sn,Cd重新溶出,根据溶出峰电流,实现对痕量Sn2+、Cd2+的同时测定.在十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)存在的条件下,溶出峰形良好.讨论了底液的pH值、CTAB浓度、富集时间、富集电位和不同的扫描速率对金属离子溶出峰的影响.结果:在优化实验条件下,Sn2+和Cd2+的线性范围分别为5μg/L～180 μg/L和10 μg/L-170 μg/L,最低检出限分别为0.46 μg/L和2 μg/L.利用本方法测定了茶叶中Sn2+的含量,结果令人满意.结论:锑膜电极可成为又一种新的环保型膜电极用于重金属离子的测定.