一种2.4GHz全集成SiGeBiCMOS功率放大器

• 作者: 刘炎华 赖宗声 阮颖 陈磊
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe BiCMOS 功率放大器 全集成 自适应偏置
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 3035-3039
• 分类号: TN402|TN722
• 字数: 3193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1146.2011.00441

摘要

针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA).由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积.在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗.采用了GRACE 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成.测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S21达23 dB,输入回波损耗S11小于-15 dB.PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20％,功率增益为22 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖宗声	华东师范大学微电子电路与系统研究所	136	779	13.0	18.0
2	陈磊	华东师范大学微电子电路与系统研究所	23	90	6.0	7.0
3	刘炎华	华东师范大学微电子电路与系统研究所	6	41	5.0	6.0
4	阮颖	华东师范大学微电子电路与系统研究所	11	37	3.0	5.0