偏置电压对PECVD法沉积TiO2薄膜的结构和性能影响

• 作者: 杨元政 谭嘉杰
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 等离子体化学气相沉淀 偏置电压 二氧化钛薄膜 光学特性
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 通用测试
• 页码范围: 15-17
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.05.005

摘要

该文采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了TiO<,2>薄膜样品,并通过椭圆偏振仪、红外光谱仪和扫描电子显微镜测量了薄膜厚度、组织结构和光学特性.结果表明:沉积速率随偏置电压升高而增大,在偏置电乐为10V时,沉积速率达到最大值为3.9nm/min,然后沉积速率下降,偏置电压在20V以后,沉积速率基本不变为3.0nm/min.薄膜密度随偏置电压的提高不断上升并在20V时达到最大值4.3g/cm<'3>,随后密度稍有下降.伴随偏置电压的升高,薄膜的折射系数n持续升高,但消光系数变化较少.未加偏置电压时,薄膜样品的结构为锐钛矿结构,偏置电压大于10V时,薄膜为金红石结构.此外,随着偏置电压的增大,薄膜晶粒尺寸下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨元政	广东工业大学材料与能源学院	123	648	13.0	20.0
2	谭嘉杰	广东工业大学材料与能源学院	1	0	0.0	0.0