两层金属场极板高压LDMOS的优化设计

• 作者: 张永红 黄瑞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOSFET 金属场极板 多晶硅场极板 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 87-91
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.02.004

摘要

采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500 V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD).对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参数进行模拟和分析,在不增加工艺复杂度的情况下,设计一种新型的具有两层金属场极板结构的500 V n-LDMOS.模拟结果表明,双层金属场极板结构比无金属场极板结构LDMOS的击穿电压提高了12%,而这两种结构LDMOS的比导通电阻(RS)基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄瑞	上海第二工业大学实验与实训中心	11	36	3.0	5.0
2	张永红	上海第二工业大学实验与实训中心	8	20	2.0	4.0