IV-VI族稀磁半导体的磁化理论

• 作者: 冯红宁 高首山
• 来源期刊: 辽宁科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 载流子 磁化强度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 1-3,20
• 分类号: O48
• 字数: 2006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-1048.2011.01.001

摘要

简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性.IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节.对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体.作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性.给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯红宁		7	3	1.0	1.0
2	高首山	辽宁科技大学理学院	6	2	1.0	1.0