抗辐照SOI256kB只读存储器的ESD设计

• 作者: 洪根深 罗晟 罗静 胡永强 颜燕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 SOI 栅控二极管 只读存储器
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 27-31
• 分类号: TN402
• 字数: 2968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.09.008

摘要

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点，阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合，进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0．8μm单多晶三层铝部分耗尽SOI／CMOS工艺技术研制成功，采用文中提出的SOI电路的ESD设计思路、方法以及网络，ESD试验结果显示该电路的人体模型ESD等级已经超过了4kV的水平。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗静		12	35	3.0	5.0
2	洪根深		33	74	5.0	6.0
3	罗晟		7	4	1.0	2.0
4	胡永强		7	14	2.0	3.0
5	颜燕		4	8	2.0	2.0