基于PD SOI工艺的8 Kb抗辐照静态存储器

• 作者: 刘必慰 徐再林 梁斌 陈书明 陈川
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐照 PD SOI 静态存储器
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 体系结构与微电子技术
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TP333
• 字数: 4251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2009.07.023

摘要

SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域.本文基于我国目前最先进的0.5μm的PDSOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固.模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50MHz下平均功耗小于55.8mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
4	陈川	国防科技大学计算机学院	1	3	1.0	1.0
5	徐再林	国防科技大学计算机学院	1	3	1.0	1.0