300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备

• 作者: 何少博 刘肃 王一帆 王朝林
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 击穿电压300 V以上 蜂房结构 场限环
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 607-610
• 分类号: TN315.2
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.06.001

摘要

为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 v以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10A时,正向压降仅为0.79 V；同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘肃	兰州大学微电子所	68	261	9.0	11.0
2	王一帆	兰州大学微电子所	5	18	3.0	4.0
3	王朝林	兰州大学微电子所	3	14	2.0	3.0
4	何少博	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	6	1.0	1.0