10A/600 V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备?

• 作者: 刘肃 李海蓉 陈菩祥 高桦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 结势垒肖特基二极管 栅条结构 场限环 反向耐压600V
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1026-1029
• 页数: 4页
• 分类号: TN315.2
• 字数: 1993字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.003

摘要

为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足，采用栅条P+-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管( JBS)，终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验，同步制备肖特基二极管( SBD)和PiN二极管作为对比。结果表明：制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和PiN二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10-5 A/cm2时，反向耐压达到600 V；正向电流10 A(80.6 A/cm2)时，导通压降仅为1.1V。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海蓉	兰州大学微电子所	18	81	5.0	8.0
2	刘肃	兰州大学微电子所	68	261	9.0	11.0
3	高桦	兰州大学微电子所	3	4	1.0	1.0
4	陈菩祥	兰州大学微电子所	1	1	1.0	1.0