CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析

• 作者: 蒋建忠 袁晓林 赵永武
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 机械化学抛光 磨粒 建模 芯片
• 年，卷（期）: 2011,（15）
• 所属期刊栏目: 机械科学
• 页码范围: 1783-1787
• 分类号: TG115.5|O484.4
• 字数: 3882字
• 语种: 中文

摘要

根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的CMP过程磨粒压入芯片表面深度的理论模型。新模型包含了更加丰富的信息,包括磨粒的直径、磨粒的浓度、磨粒的密度、抛光盘的弹性模量、芯片的表面硬度,特别是磨粒的浓度和密度的影响,在前人的模型中往往被忽视。最后对理论模型进行了试验验证,结果表明,理论预测规律与试验结果基本一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建忠		17	305	8.0	17.0
2	袁晓林		9	59	6.0	7.0
3	赵永武		117	687	12.0	21.0