CMP过程中抛光盘作用外力的影响因素分析

• 作者: 蒋建忠 袁晓林 许佩霞
• 来源期刊: 现代制造工程
• 学科: 工学
• 关键词: 机械化学抛光 磨粒 建模 芯片
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 制造技术/工艺装备
• 页码范围: 105-108,135
• 分类号: TG115.5|O484.4
• 字数: 2758字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-3133.2011.05.028

摘要

根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的抛光盘作用在磨粒上的外力的理论模型,并通过实例对前人的模型和新模型进行对比.最后借用已有分子动力学模拟结果对理论模型进行验证.结果表明作用在单个磨粒上的外力与磨粒的直径、磨粒的浓度、抛光盘的弹性模量有关,理论计算值与分子动力学模拟结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建忠	江南大学机械工程学院	17	305	8.0	17.0
2	许佩霞	江南大学机械工程学院	12	112	5.0	10.0
3	袁晓林	江南大学机械工程学院	2	30	1.0	2.0