基于高温扩散的AlGaAs靶制备

• 作者: 吴卫东 彭丽萍 沈昌乐 王瑜英 王雪敏 阎大伟
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaAs 高温扩散 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹光子学与光电子学
• 页码范围: 358-360
• 分类号: TN249|O791
• 字数: 1497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2011.03.022

摘要

基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况.利用扫描电子显微镜(SEM)对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了表征.结果表明:当扩散温度较低时(650℃),Al在GaAs中扩散较快,可获得较佳的扩散结果.当温度升高后(800℃),GaAs中的As挥发增强,其在Al和GaAs界面处富集,阻碍了Al向GaAs中的扩散.最后根据实验结果,利用Fick定律计算了在650℃下AlGaAs靶的制备时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴卫东	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	140	1087	18.0	26.0
2	王雪敏	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	16	26	4.0	5.0
3	阎大伟	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	6	5	2.0	2.0
4	沈昌乐	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	3	1.0	1.0
5	彭丽萍	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	0	0.0	0.0
6	王瑜英	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	1	1.0	1.0