硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

• 作者: 周春兰 屈盛 张兴旺 曹晓宁 毛和璜 王文静 韩增华
• 来源期刊: 中国建设动态：阳光能源
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体硅太阳电池 PECVD氮化硅薄膜 硅烷氨气比
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 52-53
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.055

摘要

利用PECVD在硅片上沉积SiNx：H薄膜，研究硅烷氨气流量比对SiNx：H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱（XPS）和椭偏仪的测试结果表明，硅烷氨气流量比（SAR）在0．09～0．38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分，而且随着SAR的逐渐增加，Si的含量逐渐增加，折射率逐渐增大。微波光电导衰退（μ-PCD）的测试结果表明，Si含量适中（也即折射率适中）的薄膜，相比Si含量过低或过高的薄膜，呈现出更为稳定的钝化效果。