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摘要:
通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据,根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律,计算出禁带宽度,并且着重讨论禁带宽度的两种求法,比较了两种方法的计算精度.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度
来源期刊 大学物理 学科 物理学
关键词 载流子 本征激发 禁带宽度 霍尔系数
年,卷(期) 2011,(11) 所属期刊栏目 物理实验
研究方向 页码范围 32-34,52
页数 分类号 O471.5
字数 1591字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0712.2011.11.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 原如领 北京师范大学物理系 11 25 3.0 4.0
2 王海燕 北京师范大学物理系 32 60 4.0 5.0
3 樊洁平 北京师范大学物理系 8 44 4.0 6.0
4 努耳艾合买提江 北京师范大学物理系 1 1 1.0 1.0
传播情况
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
载流子
本征激发
禁带宽度
霍尔系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
大学物理
月刊
1000-0712
11-1910/O4
大16开
北京师范大学院内《大学物理》编辑部
82-320
1982
chi
出版文献量(篇)
4693
总下载数(次)
19
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