原文服务方: 原子能科学技术       
摘要:
微米柱阵列埋点靶是研究超短激光辐照靶激光吸收效率和等离子体产生过程及发展的1种重要靶型.本文结合采用电子束刻蚀、X射线刻蚀和微电镀等制备金微米点阵列,用CVD方法对阵列间隙填充无应力CH薄膜,用SEM、AFM与白光干涉仪等对制作过程和结果样品进行检测.结果表明,用电子束刻蚀方法制作的掩膜分辨率好、边缘光滑.用同步辐射的X光制作高质量样品,样品点柱高宽比为4,垂直度近于90°,点柱阵列周期为2×2μm,CH层厚约4μm.
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文献信息
篇名 微米柱阵列ICF埋点靶的制备
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词 微米柱阵列 刻蚀 CH
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目 技术及应用
研究方向 页码范围 452-455
页数 分类号 TG174.44
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐永建 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 281 2334 24.0 31.0
2 张林 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 233 1406 18.0 25.0
3 马小军 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 36 107 5.0 8.0
4 陈志梅 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 11 23 3.0 3.0
5 朱效立 中国科学院微电子研究所 19 86 6.0 8.0
6 王衍斌 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 7 12 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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微米柱阵列
刻蚀
CH
研究起点
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期刊影响力
原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
出版文献量(篇)
7198
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