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摘要:
CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一,主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大,而衬底距离对沉积速率影响较小;红外光谱和质谱分析表明薄膜的主要成分是聚对二甲苯。
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文献信息
篇名 埋点靶中CH薄膜的制备工艺研究
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 CH薄膜 沉积速率 埋点靶
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 68-71
页数 5页 分类号 TL639.11
字数 1942字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴卫东 140 1087 18.0 26.0
2 张占文 80 531 12.0 16.0
3 魏胜 22 160 8.0 12.0
4 黄勇 38 270 9.0 15.0
5 许华 23 287 9.0 16.0
6 余斌 20 108 6.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
CH薄膜
沉积速率
埋点靶
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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