4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

• 作者: 俞汉扬 李昕 杨涛 陈良月 高怀
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 自偏置 低噪声放大器 PHEMT 单片微波集成电路 C波段
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 38-41
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2011.12.013

摘要

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端增益,提高了高频端增益,从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化,结果显示,在4～8 GHz频带内,噪声系数〈1.4 dB,增益达23±0.5 dB,输入输出驻波比〈2.0∶1

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨涛	东南大学集成电路学院	30	141	7.0	10.0
2	陈良月	东南大学集成电路学院	4	19	3.0	4.0
3	俞汉扬	东南大学集成电路学院	2	13	2.0	2.0
4	李昕	东南大学集成电路学院	9	48	5.0	6.0