60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

• 作者: 侯阳 孙晓玮 张健 李凌云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 低噪声放大器 60GHz
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1373-1376
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.030

摘要

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45～65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	272	3714	30.0	51.0
2	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
3	李凌云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	22	86	5.0	8.0
4	侯阳	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	41	3.0	4.0