SOI微型电场传感器的设计与测试

• 作者: 刘世国 夏善红 张海岩 彭春荣 杨鹏飞
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电场微传感器 微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(SOI) 分辨率
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2771-2774
• 分类号: TP212
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1146.2010.01285

摘要

该文研制了一种新型的基于 SOI (Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构.为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数.在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程 0～50 kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏善红	中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室	111	654	14.0	18.0
2	彭春荣	中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室	23	124	8.0	9.0
3	刘世国	中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室	4	24	3.0	4.0
4	张海岩	中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
8	杨鹏飞	中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室	10	50	4.0	6.0