中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

• 作者: 巫晓燕 温景超 王靳君 田野 石瑞英 龚敏
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: NPN晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2763-2766
• 分类号: TN325|O571
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112310.2763

摘要

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应.实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象；电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象.对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因；中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象；电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大.