SiC JFET SJEP120R063特性分析及其在逆变器中的应用

• 作者: 李健飞 郝桂青
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶体管 SiC肖特基二极管 逆变器 功率因数/开关损耗
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 新特器件应用
• 页码范围: 187-189
• 分类号: TM91
• 字数: 2475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6236.2011.06.057

摘要

介绍了SiC NET SJEP120R063的工作特性,由于该器件正向损耗低,可有助于提高大功率逆变电路的开关频率和工作效率.设计了采用SJEP12OR063实现的三相逆变器,并进行了实验研究,结果表明用具有较小的导通电阻和正向损耗的SJEP120R063,逆变器的工作效率可以提高到98%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝桂青	中海油田服务股份有限公司油田技术事业部	12	63	4.0	7.0
2	李健飞	中海油田服务股份有限公司油田技术事业部	12	48	3.0	6.0