SiC抗辐照特性的分析

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 辐照 材料 器件
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 807-810
• 分类号: TN304.0
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.1999.06.027

摘要

用半导体抗辐照的机理说明了SiC材料具有良好的抗辐照特性.实验数据的对比表明,SiC在器件发光二极管(LED),结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上对辐照影响不敏感.从原理上预测了SiC集成电路的单粒子反转(SEU)截面,结果说明SiC集成电路具有好的抗SEU能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0