基于电容模型的多层栅FFET研究

• 作者: 张振娟 陆健
• 来源期刊: 计算机工程与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电场效应晶体管 极化 矫顽场 漏极电流 电容模型
• 年，卷（期）: 2011,（35）
• 所属期刊栏目: 研究、探讨
• 页码范围: 54-57
• 分类号: TP391.1
• 字数: 2528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.2011.35.016

摘要

通过SILCAVO软件仿真了铁电场效应晶体管漏极电流Id特性.在研究了单层栅极的结构铁电场效应管的Id与铁电参数(ε,Ec,Pr,Ps/Pr)的关系基础上,提出了一种新型结构—电容模型多层栅极结构的铁电场效应管研究,发现具有多层栅极结构的铁电场效应晶体管的工作电压较高,具有抗干扰的优点;在栅极电压介于3～4V之间容易饱和极化,器件输出特性稳定,对材料性能不敏感,易于制造和便于电路设计;其极化前后输出的漏极电流差较大,有利于信号的分辨,提高电路工作效率.仿真结果为人们研究高性能铁电场效应晶体管提出了一个新的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张振娟	南通大学电子信息学院	26	65	3.0	6.0
2	陆健	南通大学电子信息学院	27	87	5.0	8.0