SOI纳米线波导导光机理的物理分析

• 作者: 余金中 俞育德 徐学俊 李运涛 黄庆忠
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上的硅 纳米线波导 古斯-汉森位移
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 107-109
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

SOI（silicon-on-insulator）纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一．文章从基本的导波光学理论出发，引入古斯一汉森位移理论，对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞育德	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	9	43	3.0	6.0
2	李运涛	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	9	24	3.0	4.0