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Effect of Doping and Post Annealing on Pbl2 Photoconductivity
Effect of Doping and Post Annealing on Pbl2 Photoconductivity
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摘要：
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4,5-二氮杂芴-9-酮2-萘甲酰腙(HL)及其配合物PbL2的NMR研究
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近临界压力区Post-dryout传热特性分析
近临界压力区
Post-dryout区
传热关系式
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Effect of Doping and Post Annealing on Pbl2 Photoconductivity | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文A版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 退火温度 光电导 兴奋剂 光探测器 光增益 电气性能 碘化铅 厚度 | ||
| 年，卷（期） | clkxygczy-a,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 215-219 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | TN204 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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退火温度
光电导
兴奋剂
光探测器
光增益
电气性能
碘化铅
厚度
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程：中英文A版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
季刊
ISSN：
2161-6213
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
972
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2
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