LPCVD多晶硅工艺技术研究

• 作者: 简崇玺 高博
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 多晶硅薄膜 淀积速率
• 年，卷（期）: jcdltx_2012,（1）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12

摘要

多晶硅薄膜在电学、力学、光学方面具有很多优良特性，已被广泛应用于半导体集成电路和MEMS器件制造等领域。LPCVD系统的腔室反应压力、淀积温度、气体流量等条件对多晶硅薄膜的淀积速率、均匀性及质量有着显著的影响，通过对工艺条件的分析优化，可制备出高质量的多晶硅薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简崇玺	北方通用电子集团有限公司微电子部	2	0	0.0	0.0
2	高博	北方通用电子集团有限公司微电子部	1	0	0.0	0.0