IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: NAND闪存 纳米制程 英特尔
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 业界要闻
• 页码范围: 6-6
• 分类号: TP333
• 字数: 1081字
• 语种: 中文

摘要

近日，由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产；128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。